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C-33 A(6″)高精度雙面光刻機

高精度雙面光刻機

 C-33 A(6″)高精度雙面光刻機實景圖

主要用途

   主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。

工作方式

本機為雙面對準單面曝光

主要性能指標:

⒈  高均勻性、多點光源、蠅眼、(LED)曝光頭

*采用350W直流球形汞燈

*出射光斑≤φ160mm

*光強≥20mw

*光的不均勻性≤±4%

*光強度可通過光闌調節,3~10mw任意調節

*曝光時間采用0~999.9秒時間繼電器控制

觀察系統為上下各兩個單筒顯微鏡上裝四個CCD攝像頭通過視屏線連接計算機到液晶顯視屏上

*單筒顯微鏡為0.7X~4.5X連續變倍顯微鏡

*CCD攝像機靶面對角線尺寸為:1/3″,6mm

*采用19液晶監視器,其數字放大倍率為19×25.4/6=56

*觀察系統放大倍數為

0.7×56=39(***小倍數)  1.7×56=95(** 小倍數

4.5×56=252(******倍數)10×56=560 (******倍數) 

*右表板上有一視屏轉換開關向左為上二個CCD,向右為下二個CCD專用計算機軟件系統

⒋非常特殊的板架裝置

該裝置能分別裝入100×100板架或125×125板架,或150×150板架, 175×175板架,按用戶要求另配置63×63板架,對版進行真空吸附;

  該裝置安裝在機座上,能圍繞基礎點作翻轉運動,相對于承片臺作*上下翻轉運動,便于上下版和上下片

該裝置反復翻轉,重復精度為≤±2μm

該裝置具有補償基片楔形誤差之功能,保證版下平面與片上平面之良好接觸,以便提高曝光質量

承片臺調整裝置

*配備有Φ75mm、Φ100、Φ127mm、Φ150mm承片臺各一個,這四種承片臺有二個長方孔,下面二個CCD通過該孔能觀察到版或片的下平面;并實現真空密著曝光,Φ50基片不能實現真空密著曝光。

*承片臺能作X、Y、θ運動,X、Y、可作±5mm運動,θ運動為±5°

承片臺密著環相對于版,能實現真空密著

*(基片Φ75mm.Φ100mm.Φ127mm.Φ152mm)

*真空密著力≤-0.05Mpa為硬接觸

*真空密著力≤-0.05Mpa~-0.02Mpa為軟接觸

*真空密著力≤-0.02Mpa為微力接觸

*工作條件、①電源:50HZ  220V。

           、②氣源:≥0.4Mpa。

             尺寸:900×650×1500 (L×W×H)mm;

           重量:~150kg   

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