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C-43(4″)高精度單面光刻機

高精度單面光刻機

C-43(4″)高精度單面光刻機實景圖

主要用途

     主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。

工作方式

本機為一次性光刻曝光

主要技術指標:

1、配置兩件承片臺。承片臺具體尺寸可根據用戶需求制造

2、曝光頭采用高均勻性多點光源.蠅眼(LED)曝光頭

*出射光斑≤118mm;350W(高壓直流汞燈

*光的不均勻性在φ100mm范圍內≤±3%

*加365濾光片,***小曝光分辯率為1.0μm(在真空密著條件下

*實現真空密著條件下曝光

*光的強度可通過可變光欄大小進行調節,曝光時間,通過0.1~999.9秒時間繼電器設定

*汞燈位置調節可通過精密的x、y、z調節裝置調節,調節量為x±5毫米、y±5毫米、z±5毫米

*具有風扇冷卻裝置

3、分辨率≥1μm

4、具備真空吸片功能

5、具有真空密著和反吹氣的功能,通過調節密著真空的大小可以實現硬接觸曝光密著真空≤-0.05 Mpa)、軟接觸曝光(密著真空在-0.05Mpa~-0.02Mpa之間)和微力接觸曝光密著真空≥-0.02Mpa)。

主要配置:

*蠅眼曝光頭:1臺曝光類型一次性曝光

*曝光面積:≥φ100mm

*曝光不均勻性:≤±3%

*曝光強度:≥5mw

*曝光分辨率:≤1μm

*曝光模式單面曝光

*掩膜尺寸:3″、4、5

*基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″

*基片厚度:≤5 mm

*曝光燈功率:350W

*曝光定時:0~999.9秒可調

*電源單相AC 220V 50Hz功耗≤1kW

*潔凈壓縮空氣壓力:≥0.4Mpa

*真空度:-0.07Mpa~-0.09Mpa

*尺寸:700×650×1200 (L×W×H)mm

*重量:~110kg

 

 

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